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InGaAsP薄膜で低静的電力と高速切替を両立する光回路

Ultralow-power, high-speed programmable Si photonic circuits with InGaAsP membrane

Tomohiro Akazawa, Rui Tang, Hanzhi Tang, Makoto Okano, Yangyang Wan, Nobuyuki Matsuda, Kasidit Toprasertpong, Shinichi Takagi, and Mitsuru Takenaka

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ひとことで言うと

光の位相を変える部品に半導体薄膜を組み合わせ、設定を保つ電力を非常に小さくしつつ、高速に切り替える光回路を実証した研究です。

何に役立つ?

考えられる用途は、多数の位相シフターを集積する光信号処理や計算回路です。光スイッチングとユニタリー変換の実証が、そうした回路構成の基礎になります。

この研究の面白いところ

低い漏れ電流と強い屈折率変化を組み合わせています。素子単体の指標だけでなく、干渉計メッシュでの動作と熱クロストークも示しています。

どこまで分かった?

30fW/π未満は静的消費電力であり、切替時のエネルギーや光源・周辺回路を含む総消費電力ではありません。AI計算や量子情報処理のシステム全体の性能が実証されたという意味でもありません。

v1のアブストラクトに基づくAI解説。日本語訳とは別に、用途の解釈を含みます。

アブストラクトの日本語訳

プログラム可能な光回路は、光通信からAI計算、量子情報処理までの応用に向けて有望な基盤となっている。しかし、その大規模化は、必須の構成要素である光位相シフターによって根本的に制約される。既存の位相シフター技術には、消費電力、動作速度、変調効率、光損失、熱クロストークの間に本質的なトレードオフがあり、高性能で大規模なプログラム可能光回路の実現が難しい。 本研究では、InGaAsP/Siハイブリッド金属酸化膜半導体(MOS)位相シフターに基づき、極めて低い消費電力、高速動作、高い変調効率、低い光損失、無視できる熱クロストークを組み合わせた、プログラム可能な光回路を示す。この位相シフターは、MOSキャパシターの低い漏れ電流と、InGaAsP薄膜の強いキャリア誘起屈折率変調を組み合わせ、静的消費電力30fW/π未満、切替時間555ps、位相変調効率V_πL=0.13Vcm、キャリア誘起の追加挿入損失わずか0.20dB/πを達成する。 これらをプログラム可能なMach–Zehnder干渉計メッシュへ集積し、集積した位相シフターにわたってフェムトワット水準の静的消費電力を維持しながら、光スイッチングとプログラム可能なユニタリー変換を実証する。さらに、熱クロストークを無視できる回路レベルの動作を示し、高密度に集積したプログラム可能光回路の大きな障害に対応する。これらの結果は、次世代の信号処理と計算に向け、大規模化が可能な高性能プログラム可能光システムの基礎を築く。

v1の要旨から自動生成。本文の精読・人による確認は未実施。

初稿
2026-09-21(UTC)
最新改訂
2026-09-21 · v1
査読・掲載
査読状況未確認
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更新履歴

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原文の要旨

Programmable photonic circuits have emerged as a promising platform for applications ranging from optical communications to artificial-intelligence computing and quantum information processing, but their scaling is fundamentally constrained by their essential building block, the optical phase shifter. Existing phase-shifter technologies face inherent trade-offs among power consumption, operating speed, modulation efficiency, optical loss, and thermal crosstalk, making it challenging to realize high-performance, large-scale programmable photonic circuits. Here, we present a programmable photonic circuit based on InGaAsP/Si hybrid metal-oxide-semiconductor (MOS) phase shifters that combines ultralow power consumption, high-speed operation, high modulation efficiency, low optical loss and negligible thermal crosstalk. The phase shifters combine the low leakage current of a MOS capacitor with the strong carrier-induced refractive-index modulation of an InGaAsP membrane, achieving a static power consumption below 30 fW/$\pi$, a switching time of 555 ps, a phase-modulation efficiency ($V_\pi L$) of 0.13 Vcm and a carrier-induced excess insertion loss of only 0.20 dB/$\pi$. We integrate these phase shifters into a programmable Mach-Zehnder interferometer mesh and demonstrate optical switching and programmable unitary transformations, while maintaining femtowatt-level static power consumption across integrated phase shifters. We further demonstrate circuit-level operation with negligible thermal crosstalk, addressing a major obstacle to densely integrated programmable photonic circuits. These results establish a foundation for scalable, high-performance programmable photonic systems for next-generation signal processing and computation.

arXiv ID: 2609.24611 / 要約の誤りについて