2つのリングを結合した半導体レーザーの短パルス制御
Non-Hermitian mode locking in an L-band monolithic InP dual-ring laser
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ひとことで言うと
1つの半導体チップ上にある2つのリング状レーザー共振器を、電気的に別々に調整して短い光パルスを発生させています。
何に役立つ？
考えられる用途は、高速な光通信や、光でマイクロ波信号を扱う技術の光源です。発振状態やパルス幅、時間的な揺らぎを電気制御する設計に役立ちます。
この研究の面白いところ
専用の可飽和吸収体がなくてもモード同期を実証し、吸収体を組み込んだ場合にはさらに短いパルスと小さいジッターを得ています。実測と結合共振器モデルの両面で調べています。
どこまで分かった？
7.9 ps・18.11 GHzの結果と、吸収体を用いた3.1 psの結果は条件が異なります。542 MHzは混成スーパーモード領域のモード間ビートで、パルス繰り返し周波数と同じ量ではありません。通信システム全体の伝送性能は要旨に示されていません。
v1のアブストラクトに基づくAI解説。日本語訳とは別に、用途の解釈を含みます。
アブストラクトの日本語訳
レーザー共振器同士の結合は、利得、損失、混成を通じて光学モードを制御する手段となる。本研究では、専用の可飽和吸収体を用いずに、Lバンドで動作するモノリシックInP二重リングレーザーで電気的に制御されるモード同期を実証する。2つのリングへ独立にバイアスを印加することで、単一モード発振、モード同期、混成スーパーモード動作に切り替えられ、最後の動作領域ではモード間ビート周波数542 MHzが測定された。レーザーは繰り返し周波数18.11 GHzで、幅7.9 psのパルスを生成する。 結合共振器モデルにより、共振器間の非線形離調の差が、モードの利得・損失のコントラストをどのように変えるかを記述する。時間領域シミュレーションでは、実験で測定した値に近いパルス幅とスペクトル幅が得られた。可飽和吸収体を組み込んだデバイスでは、逆バイアスにより3.1 psのパルスが可能となり、バイアスをかけない条件に比べて積分タイミングジッターが9.06 psから2.46 psへ減少する。 これらの結果は、高繰り返し周波数の光通信やマイクロ波フォトニクスに向けたモノリシックInP半導体基盤において、結合共振器の状態の電気的制御と、ピコ秒パルスの生成を結び付けるものである。
v1の要旨から自動生成。本文の精読・人による確認は未実施。
- 初稿
- 2026-09-21（UTC）
- 最新改訂
- 2026-09-21 · v1
- 査読・掲載
- 査読状況未確認
更新履歴
- v1 2026-09-21 この版を読む
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原文の要旨
Coupling between laser cavities provides a means of controlling optical modes through their gain, loss, and hybridization. Here we demonstrate electrically controlled mode locking in a monolithic InP dual ring laser operating in the L band without a dedicated saturable absorber. Independent biasing of the two rings accesses single mode emission, mode locking, and hybridized supermode operation, with a measured intermode beat frequency of 542 MHz in the latter regime. The laser generates 7.9 ps pulses at 18.11 GHz. A coupled cavity model describes how differential nonlinear detuning modifies the modal gain loss contrast, and time domain simulations yield pulse durations and spectral widths close to those measured experimentally. In a device incorporating saturable absorbers, reverse bias enables 3.1 ps pulses and reduces the integrated timing jitter from 9.06 to 2.46 ps relative to the unbiased condition. These results connect electrical control of coupled-cavity states with picosecond pulse generation in a monolithic InP semiconductor platform for high repetition rate optical communications and microwave photonics.
arXiv ID: 2609.24798 ／ 要約の誤りについて