電子や正孔を加えたC₆₀・C₇₀の格子変形と光吸収
Lattice distortion and energy level structures in doped C_{60} and C_{70} studied with the extended Su-Schrieffer-Heeger model: Polaron excitations and optical absorption
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ひとことで言うと
C₆₀とC₇₀に電子や正孔を加えたとき、電荷と分子の歪みがどう変わるかを数値計算します。拡張したSu–Schrieffer–Heeger模型を使います。
何に役立つ？
ドープしたフラーレンの電子構造と光吸収を理解する助けになります。考えられる用途は、ポーラロンの兆候を吸収ピークから調べることです。
この研究の面白いところ
追加電荷がほぼ赤道沿いに集まり、同じ付近で二量化が弱まります。ギャップ内へ二つの準位が入り、新しい低エネルギー吸収ピークを予測します。
どこまで分かった？
主なドーピング条件は電子または正孔が1個か2個です。ポーラロンや新ピークはこの模型による予測であり、要旨で実測を報告しているわけではありません。
v1のアブストラクトに基づくAI解説。日本語訳とは別に、用途の解釈を含みます。
アブストラクトの日本語訳
ポリアセチレンのSu–Schrieffer–Heeger模型をC₆₀およびC₇₀分子へ拡張し、数値的に解く。ドープしていない系の計算結果は、既知の結果とよく一致する。C₆₀またはC₇₀に電子あるいは正孔を1個か2個ドープすると、追加された電荷はほぼ分子の赤道に沿って蓄積する。ほぼ同じ線に沿って二量化が弱まる。2つのエネルギー準位がギャップ内へ大きく入り込み、その入り込みはC₆₀よりC₇₀で大きい。このため、ドープしたバックミンスターフラーレンに「ポーラロン」が生じると予測する。 「ポーラロン」がどのように観測されるかを調べるため、C₆₀の光吸収係数を計算する。ギャップをまたぐ遷移のピークよりも低いエネルギーに、新しいピークが現れると予測する。また、C₆₀とC₇₀は格子の幾何構造だけでなく、電子構造についても互いに関連していることが分かる。 原文の掲載予定注記：Phys. Rev. B、第45巻、6月15日号に掲載予定。
v1の要旨から自動生成。本文の精読・人による確認は未実施。
- 初稿
- 1992-05-27（UTC）
- 最新改訂
- 1992-05-27 · v1
- 査読・掲載
- 掲載先の記載あり
著者による掲載先の記載：Phys. Rev. B 45 (1992) 13676-13684。出版社での独立確認は未実施です。
更新履歴
- v1 1992-05-27 この版を読む
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原文の要旨
We extend the Su-Schrieffer-Heeger model of polyacetylene to C_{60} and C_{70} molecules, and solve numerically. The calculations of the undoped systems agree well with the known results. When the system (C_{60} or C_{70}) is doped with one or two electrons (or holes), the additional charges accumulate almost along an equatorial line of the molecule. The dimerization becomes weaker almost along the same line. Two energy levels intrude largely in the gap. The intrusion is larger in C_{70} than in C_{60}. Therefore, ``polarons'' are predicted in doped buckminster- fullerenes. We calculate optical absorption coefficient for C_{60} in order to look at how ``polarons'' will be observed. It is predicted that there appears a new peak at the lower energy than the intergap transition peaks. It is also found that C_{60} and C_{70} are related mutually with respect to electronical structures as well as lattice geometries. (to be published in Phys. Rev. B 45, June 15 issue)
著者のコメント
21 pages
arXiv ID: cond-mat/9205014 ／ 要約の誤りについて