1次元Mott–Hubbard金属絶縁体転移のスケーリング理論
Scaling theory of the Mott-Hubbard metal-insulator transition in one dimension
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ひとことで言うと
一次元Hubbard模型で金属とMott絶縁体の境目を調べ、電荷剛性と相関長を厳密に求めます。Bethe方程式を使います。
何に役立つ？
電子の反発と密度が電荷輸送をどう変えるかを理解する基礎になります。低温の熱電能とも結び付けています。
この研究の面白いところ
相関長を金属側では電荷を運ぶホロンの大きさと解釈し、弱く相互作用するスピンなしフェルミオンへの写像から熱電能を導きます。
どこまで分かった？
一次元、斥力、周期境界の模型です。スケーリングは臨界点近傍、写像や正孔的輸送には密度と相関長についての条件があります。
v1のアブストラクトに基づくAI解説。日本語訳とは別に、用途の解釈を含みます。
アブストラクトの日本語訳
Bethe仮説方程式を使い、1サイトあたり1電子のMott絶縁値n=1に近い電子密度で、反発相互作用を持つ1次元Hubbard模型の電荷剛性D_c=(L/2)d²E₀/dΦ_c²|_{Φ_c=0}を計算する。ここでE₀は基底状態エネルギー、Lは系の周長、周期境界条件を仮定する。((ℏc/e)Φ_cは閉じ込められた磁束である。 n=1でL→∞としたD_c(L)の漸近形を厳密に得る。これによりMott絶縁相の相関長ξを定義し、オンサイト反発Uの関数として解析式を与える。臨界点U=0,n=1の近傍では、電荷剛性がD_c(n,L,U)=Y_+(ξδ,ξ/L)というハイパースケーリング形を持つことを示す。ここでδ=|1−n|であり、Y_+は計算した普遍スケーリング関数である。 金属相でのξの物理的意味は、電荷を運ぶソリトン、すなわちホロンの特徴的な大きさを定めることである。任意のUでξδ≪1の場合にホロンを弱く相互作用するスピンレスフェルミオンへ写像し、この写像から金属絶縁体転移近傍の低温熱電能の漸近的に厳密な式を得る。これは弱結合近似で得られた既存結果を任意のUへ一般化し、0<1−n≪ξ⁻¹ではホール型輸送を示唆する。
v1の要旨から自動生成。本文の精読・人による確認は未実施。
- 初稿
- 1993-01-27（UTC）
- 最新改訂
- 1993-01-27 · v1
- 査読・掲載
- 掲載先の記載あり
著者による掲載先の記載：Phys.Rev. B48 (1993) 1409。出版社での独立確認は未実施です。
更新履歴
- v1 1993-01-27 この版を読む
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原文の要旨
We use the Bethe ansatz equations to calculate the charge stiffness $D_{\rm c} = (L/2) d^2 E_0/d\Phi_{\rm c}^2|_{\Phi_{\rm c}=0}$ of the one-dimensional repulsive-interaction Hubbard model for electron densities close to the Mott insulating value of one electron per site ($n=1$), where $E_0$ is the ground state energy, $L$ is the circumference of the system (assumed to have periodic boundary conditions), and $(\hbar c/e)\Phi_{\rm c}$ is the magnetic flux enclosed. We obtain an exact result for the asymptotic form of $D_{\rm c}(L)$ as $L\to \infty$ at $n=1$, which defines and yields an analytic expression for the correlation length $\xi$ in the Mott insulating phase of the model as a function of the on-site repulsion $U$. In the vicinity of the zero temperature critical point U=0, $n=1$, we show that the charge stiffness has the hyperscaling form $D_{\rm c}(n,L,U)=Y_+(\xi \delta, \xi/L)$, where $\delta =|1-n|$ and $Y_+$ is a universal scaling function which we calculate. The physical significance of $\xi$ in the metallic phase of the model is that it defines the characteristic size of the charge-carrying solitons, or {\em holons}. We construct an explicit mapping for arbitrary $U$ and $\xi \delta \ll 1$ of the holons onto weakly interacting spinless fermions, and use this mapping to obtain an asymptotically exact expression for the low temperature thermopower near the metal-insulator transition, which is a generalization to arbitrary $U$ of a result previously obtained using a weak- coupling approximation, and implies hole-like transport for $0<1-n\ll\xi^{-1}$.
著者のコメント
34 pages, REVTEX (5 figures by request)
arXiv ID: cond-mat/9301036 ／ 要約の誤りについて