エピタキシャル成長で安定化する鉄シリサイドの電子構造
Electronic Structure and Bonding in Epitaxially Stabilized Cubic Iron Silicides
アブストラクトの日本語訳
最近Si(111)上に分子線エピタキシーで成長させられた、バルクでは不安定な二つの化合物、CsCl構造のFeSiとCaF₂構造のFeSi₂について、構造と電子的性質を第一原理の全ポテンシャル線形化補強平面波（FLAPW）法で研究する。平衡バルク格子定数として、FeSiでは2.72 Å、FeSi₂では5.32 Åを得た。FeSiの状態密度（DOS）は実験とよく一致し、金属的な振る舞いを示す。以前の計算と一致して、FeSi₂のDOSはフェルミ準位に大きなd状態密度を示し、バルク相の不安定性を説明する。 電子の電荷分布は、両化合物でSi原子球からFe原子球への小さな電荷移動を示す。FeSiのFe–Si結合は実際に部分的にイオン性だが、FeSi₂の電子分布はFe–Si結合領域への共有結合的な電荷蓄積に対応することを示す。FeSiのdバンドの順序がFeSi₂と逆になることは、それぞれCsCl構造における結晶場分裂と最近接Fe–Fe間のdd相互作用、および蛍石構造における強いSiのp状態とFeのd状態の結合によって理解できる。
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- 初稿
- 1993-05-11（UTC）
- 最新改訂
- 1993-05-11 · v1
- 査読・掲載
- 査読状況未確認
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原文の要旨
We present an ab initio full-potential linearized augmented plane-wave (FLAPW) study of the structural and electronic properties of the two bulk unstable compounds FeSi (CsCl structure) and FeSi$_2$ (CaF$_2$ structure) which have recently been grown by molecular beam epitaxy on Si(111). We obtain equilibrium bulk lattice constants of 2.72 Å\ and 5.32 Å\ for FeSi and FeSi$_2$, respectively. The density of states (DOS) of FeSi agrees well with experiment, and shows metallic behavior. In agreement with a previous calculation the DOS of FeSi$_2$ shows a large density of $d$-states at the Fermi level, explaining the instability of the bulk phase. The electron charge distributions reveal a small charge transfer from Si to Fe atomic spheres in both compounds. While in FeSi the Fe-Si bond is indeed partially ionic, we show that in FeSi$_2$ the electron distribution corresponds to a covalent charge accumulation in the Fe-Si bond region. The reversed order of $d$-bands in FeSi with respect to FeSi$_2$ is understood in terms of crystal field splitting and Fe-Fe nearest neighbor $dd$-interactions in the CsCl structure, and a strong Si $p$/Fe $d$ bonding in the fluorite structure, respectively.
著者のコメント
15 pages, REVTeX 3.0
arXiv ID: cond-mat/9305007 ／ 要約の誤りについて