半導体量子細線の不純物散乱と遮蔽を自己無撞着に計算
Self-consistent calculation of ionized impurity scattering in semiconductor quantum wires
アブストラクトの日本語訳
遮蔽されたイオン化不純物ポテンシャルと電子による遮蔽が互いを自己無撞着に決定する方法を用い、半導体量子細線におけるイオン化不純物散乱による電子の弾性平均自由行程を計算する。短距離の散乱ポテンシャル模型を用いることで、自己無撞着Born近似および非交差近似の範囲内で、自己エネルギーの厳密解を得る。 遮蔽のない裸のポテンシャルに対する平均自由行程ℓ_bareと比べ、自己無撞着な遮蔽を含めて計算した平均自由行程ℓ_scは大幅に長くなる。ℓ_bareが大きい場合、その振る舞いはℓ_sc∼ℓ_bare[ln(ℓ_bare)]²となる。
v1の要旨から自動生成。本文の精読・人による確認は未実施。
- 初稿
- 1993-06-07（UTC）
- 最新改訂
- 1993-06-07 · v1
- 査読・掲載
- 査読状況未確認
更新履歴
- v1 1993-06-07 この版を読む
取得できた版を表示。版の更新は査読済みを意味しません。過去版の本文差分は未解析です。
原文の要旨
We calculate the electron elastic mean free path due to ionized impurity scattering in semiconductor quantum wires, using a scheme in which the screened ionized impurity potential and the electron screening self-consistently determine each other. By using a short-range scattering potential model, we obtain an {\sl exact} solution of the self-energy within the self-consistent Born and ``noncrossing" approximations. We find that, compared to the mean free path for the bare unscreened potential $\ell_{\rm bare}$, the calculated mean free path including self-consistent screening $\ell_{\rm sc}$ is {\sl substantially larger}, going as $\ell_{\rm sc} \sim \ell_{\rm bare}[\ln(\ell_{\rm bare})]^2$ for large $\ell_{\rm bare}$.
著者のコメント
11 pages, 4 Postscript files (appended), Revtex Version 3.0, UMCP-CMT-Hu-9301
arXiv ID: cond-mat/9306014 ／ 要約の誤りについて