パウリの原理が共鳴トンネル電流に与える影響
Resonant Tunneling and the Pauli Principle
アブストラクトの日本語訳
半導体ヘテロ構造の共鳴トンネルを研究するため、修正した光学ブロッホ方程式に基づく新しい方法を提案する。この方法は電子の統計性を明示的に取り込むため、非弾性散乱が存在する場合に、パウリの原理が共鳴トンネルに与える影響を調べられる。 この手法を半導体ヘテロ構造の共鳴電流の評価に適用すると、一電子描像からの大きなずれが予測される。
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- 初稿
- 1993-07-25（UTC）
- 最新改訂
- 1993-07-25 · v1
- 査読・掲載
- 査読状況未確認
更新履歴
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原文の要旨
A new method based on modified optical Bloch equations is proposed for studying resonant tunneling in semiconductor heterostructures. The method manifestly takes account of electrons' statistics, which enables to investigate the influence of the Pauli principle on resonant tunneling in presence of inelastic scattering. Being applied to evaluation of the resonant current in semiconductor heterostructures, our approach predicts considerable deviations from the one-electron picture.
著者のコメント
12 pages (+ 1 page of figures), RevTeX 3.0 (+ 1 PostScript figure file appended), WIS - 93/69/July - PH
arXiv ID: cond-mat/9307051 ／ 要約の誤りについて