パルスレーザー堆積した窒化ホウ素薄膜の結合構造を調べる
X-ray Absorption Study of Pulsed Laser Deposited Boron Nitride Films
アブストラクトの日本語訳
イオン支援パルスレーザー堆積法でシリコン基板上に成長させた3つの窒化ホウ素（BN）薄膜について、ホウ素と窒素のK吸収端におけるX線吸収分光測定を行った。薄膜のスペクトルを、いくつかの単相BN粉末標準試料のスペクトルと比較すると、薄膜は主としてsp²結合からなることが分かった。 薄膜スペクトルの他の特徴は、立方晶または菱面体晶BNの可能性がある副相の存在を示唆する。より高い堆積速度と、より高いイオンビーム電圧で成長させた薄膜ほど無秩序性が高く、先行研究と一致する。
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- 初稿
- 1993-11-26（UTC）
- 最新改訂
- 1993-11-26 · v1
- 査読・掲載
- 査読状況未確認
更新履歴
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原文の要旨
B and N K-edge x-ray absorption spectroscopy measurements have been performed on three BN thin films grown on Si substrates using ion-assisted pulsed laser deposition. Comparison of the films' spectra to those of several single-phase BN powder standards shows that the films consist primarily of $sp^2$ bonds. Other features in the films' spectra suggest the presence of secondary phases, possibly cubic or rhombohedral BN. Films grown at higher deposition rates and higher ion-beam voltages are found to be more disordered, in agreement with previous work.
著者のコメント
7 pages, LaTeX 2.09. Figures not included, but available by fax. Send email to chaiken@csmgee.llnl.gov
arXiv ID: cond-mat/9311058 ／ 要約の誤りについて